MOSFET IRFZ34N Mới 100%, Linh Kiện Công Suất Cho Điều Khiển Motor DC, Bộ Điều Khiển PWM, Nguồn Chuyển Mạch, Thiết Bị Điện Tử Công Nghiệp, linh kiện máy hàn
• DÒNG TẢI 29A: MOSFET IRFZ34N chịu dòng liên tục đến 29A ở 25°C, phù hợp cho điều khiển động cơ DC, tải công suất và các ứng dụng nguồn điện tử.
• ĐIỆN ÁP 55V: Khả năng chịu điện áp Drain Source 55V giúp hoạt động ổn định trong các hệ thống nguồn DC, bộ điều khiển pin và mạch chuyển đổi điện áp.
• RDS ON THẤP: Điện trở dẫn tối đa khoảng 40mΩ tại VGS=10V giúp giảm tổn hao công suất và hạn chế phát nhiệt khi tải lớn.
• CÔNG NGHỆ HEXFET: Thiết kế HEXFET thế hệ thứ 5 cho tốc độ đóng cắt nhanh, khả năng chịu avalanche và độ bền cao trong môi trường công nghiệp.
• ĐÓNG GÓI TO220: Chuẩn chân TO220 phổ biến, dễ thay thế, dễ lắp đặt tản nhiệt và tương thích với nhiều thiết bị điện tử hiện nay.
• ỨNG DỤNG THỰC TẾ: Sử dụng trong điều khiển động cơ DC, bộ điều khiển PWM, nguồn switching power supply, bộ sạc, inverter điện áp thấp và mạch công suất điện tử.
Đường dây nóng đặt hàng:
Thứ 2 - 7: 07AM - 06PM
0938 738 240
MOSFET IRFZ34N là transistor công suất N-Channel thuộc dòng HEXFET của International Rectifier (nay thuộc Infineon). Linh kiện được thiết kế với điện áp chịu đựng VDS 55V, dòng tải liên tục từ 26A đến 29A tùy điều kiện đo, điện trở dẫn RDS(on) tối đa 0.040Ω và công suất tiêu tán khoảng 56W trong vỏ TO220. Đây là một trong những MOSFET công suất phổ biến trong các ứng dụng điều khiển tải DC và nguồn điện tử công suất trung bình.
IRFZ34N sử dụng công nghệ HEXFET thế hệ thứ 5, nổi bật với khả năng đóng cắt nhanh, điện trở dẫn thấp và khả năng chịu quá áp tốt. Nhờ đó linh kiện được sử dụng rộng rãi trong bộ điều khiển động cơ DC, mạch PWM, nguồn switching power supply, bộ sạc ắc quy, bộ chuyển đổi DC-DC và các hệ thống tự động hóa điện tử.
Phân tích đa chiều
80% ưu điểm
- Dòng tải cao tới 29A phù hợp nhiều ứng dụng công suất.
- Điện trở dẫn thấp giúp giảm tổn hao năng lượng.
- Tốc độ chuyển mạch nhanh nhờ công nghệ HEXFET.
- Khả năng chịu avalanche và dv/dt tốt.
- Vỏ TO220 dễ lắp đặt và thay thế.
20% điểm người mua thường bỏ qua
- IRFZ34N không phải MOSFET Logic Level. Để đạt RDS(on) tối ưu cần điện áp Gate khoảng 10V. Nếu điều khiển trực tiếp từ vi điều khiển 3.3V hoặc 5V, MOSFET có thể không mở hoàn toàn và phát nhiệt nhiều hơn dự kiến. Đây là điểm được cộng đồng điện tử nhắc tới khá thường xuyên.
- Nhiều người chỉ quan tâm dòng tải tối đa 29A mà bỏ qua khả năng tản nhiệt thực tế. Khi hoạt động tải lớn liên tục, cần thiết kế tản nhiệt phù hợp để duy trì độ bền linh kiện.
So sánh thực tế
Trong nhóm MOSFET N-Channel điện áp 55V, IRFZ34N có lợi thế về độ phổ biến, giá thành hợp lý và khả năng chịu dòng tốt. Tuy nhiên nếu ứng dụng điều khiển trực tiếp bằng vi điều khiển Arduino, ESP32 hoặc STM32, nhiều kỹ sư sẽ ưu tiên dòng Logic Level như IRLZ34N hoặc IRLZ44N để đạt hiệu suất đóng cắt cao hơn ở điện áp Gate thấp.
15 từ khóa chính: IRFZ34N, MOSFET IRFZ34N, MOSFET 55V 29A, N Channel MOSFET, HEXFET Power MOSFET, MOSFET TO220, transistor công suất, điều khiển động cơ DC, PWM motor driver, switching power supply, nguồn DC, bộ điều khiển tải, linh kiện điện tử công suất, MOSFET công suất cao, nguồn chuyển mạch.
Thêm đánh giá của bạn
Địa chỉ email của bạn sẽ không được công bố. Các trường bắt buộc được đánh dấu *
Please login to write review!
Có vẻ như chưa có đánh giá nào.
- Bắt đầu từ: Th05 14, 2026
